Nexperia USA Inc. - BSP220,115

KEY Part #: K6417148

BSP220,115 価格設定(USD) [210533個在庫]

  • 1 pcs$0.17569
  • 1,000 pcs$0.15383

品番:
BSP220,115
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. BSP220,115 electronic components. BSP220,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP220,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP220,115 製品の属性

品番 : BSP220,115
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 225mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.8V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 90pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.5W (Ta)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-73
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.

  • FDD5N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V DPAK-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.