IRFHM8235TRPBF 価格設定（USD） [299382個在庫]
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- 品番:
- IRFHM8235TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFHM8235TRPBF electronic components. IRFHM8235TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHM8235TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFHM8235TRPBF 製品の属性
品番 :
IRFHM8235TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
16A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.35V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1040pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3W (Ta), 30W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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