IXTN90P20P 価格設定（USD） [3887個在庫]
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- 品番:
- IXTN90P20P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 200V 90A SOT227.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTN90P20P electronic components. IXTN90P20P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN90P20P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTN90P20P 製品の属性
品番 :
IXTN90P20P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
シリーズ :
PolarP™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
90A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
44 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
205nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
12000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
890W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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