Vishay Siliconix - SIHA22N60AEL-GE3

KEY Part #: K6396024

SIHA22N60AEL-GE3 価格設定(USD) [21016個在庫]

  • 1 pcs$1.96111

品番:
SIHA22N60AEL-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CHAN 600V.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIHA22N60AEL-GE3 electronic components. SIHA22N60AEL-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHA22N60AEL-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA22N60AEL-GE3 製品の属性

品番 : SIHA22N60AEL-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CHAN 600V
シリーズ : EL
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1757pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 35W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません