IPD50N06S4L08ATMA2 価格設定（USD） [226427個在庫]
- 1 pcs$0.16335
- 2,500 pcs$0.15525
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD50N06S4L08ATMA2 electronic components. IPD50N06S4L08ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50N06S4L08ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD50N06S4L08ATMA2 製品の属性
品番 :
IPD50N06S4L08ATMA2
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
50A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 35µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4780pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
71W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3-11
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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