説明 :
MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
5.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
114nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
4780pF @ 15V
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)