Toshiba Semiconductor and Storage - TK25E06K3,S1X(S

KEY Part #: K6419266

TK25E06K3,S1X(S 価格設定(USD) [100602個在庫]

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品番:
TK25E06K3,S1X(S
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK25E06K3,S1X(S 製品の属性

品番 : TK25E06K3,S1X(S
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
シリーズ : U-MOSIV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 25A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 18 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 60W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3