説明 :
MOSFET N-CH 35V 11A TP
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
11A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.6V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
17.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
960pF @ 20V
消費電力(最大) :
1W (Ta), 15W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ :
IPAK/TP
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA