Vishay Siliconix - SIHP25N50E-GE3

KEY Part #: K6398185

SIHP25N50E-GE3 価格設定(USD) [26343個在庫]

  • 1 pcs$1.56448
  • 10 pcs$1.39746
  • 100 pcs$1.08706
  • 500 pcs$0.88026
  • 1,000 pcs$0.74239

品番:
SIHP25N50E-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP25N50E-GE3 electronic components. SIHP25N50E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP25N50E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP25N50E-GE3 製品の属性

品番 : SIHP25N50E-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 26A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1980pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 250W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • TK12A50E,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 500V TO220SIS.

  • BMS4007-1E

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 60A TO-220ML.