ON Semiconductor - NTB5605P

KEY Part #: K6413369

[13123個在庫]


    品番:
    NTB5605P
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NTB5605P electronic components. NTB5605P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTB5605P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTB5605P 製品の属性

    品番 : NTB5605P
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18.5A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 140 mOhm @ 8.5A, 5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 22nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1190pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 88W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • FQD4N25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.

    • IRLR8113TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRLR8113

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.