IXYS - IXBN75N170A

KEY Part #: K6532733

IXBN75N170A 価格設定(USD) [1826個在庫]

  • 1 pcs$25.03527
  • 10 pcs$24.91071

品番:
IXBN75N170A
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
IC TRANS BIPO 1700V SOT-227.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXBN75N170A electronic components. IXBN75N170A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXBN75N170A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXBN75N170A 製品の属性

品番 : IXBN75N170A
メーカー : IXYS
説明 : IC TRANS BIPO 1700V SOT-227
シリーズ : BIMOSFET™
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1700V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 75A
パワー-最大 : 625W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 6V @ 15V, 42A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 50µA
入力容量(Cies)@ Vce : 7.4nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227B

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT