ON Semiconductor - NIF9N05CLT1

KEY Part #: K6412345

[13477個在庫]


    品番:
    NIF9N05CLT1
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NIF9N05CLT1 electronic components. NIF9N05CLT1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NIF9N05CLT1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NIF9N05CLT1 製品の属性

    品番 : NIF9N05CLT1
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 52V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.6A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 3V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 125 mOhm @ 2.6A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 100µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±15V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 250pF @ 35V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 1.69W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223
    パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

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