ON Semiconductor - FCB20N60-F085

KEY Part #: K6393787

FCB20N60-F085 価格設定(USD) [21345個在庫]

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品番:
FCB20N60-F085
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCB20N60-F085 製品の属性

品番 : FCB20N60-F085
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, SuperFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 198 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 102nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3080pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 341W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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