Infineon Technologies - IRF7103TRPBF

KEY Part #: K6525158

IRF7103TRPBF 価格設定(USD) [246556個在庫]

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品番:
IRF7103TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7103TRPBF 製品の属性

品番 : IRF7103TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 50V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 30nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 290pF @ 25V
パワー-最大 : 2W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

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