SQJ200EP-T1_GE3 価格設定（USD） [189774個在庫]
- 1 pcs$0.19490
- 3,000 pcs$0.17541
- 品番:
- SQJ200EP-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ200EP-T1_GE3 electronic components. SQJ200EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ200EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ200EP-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQJ200EP-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A, 60A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
18nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
975pF @ 10V
パワー-最大 :
27W, 48W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- APTJC120AM25VCT1AG
- SI7905DN-T1-E3
- SI1563EDH-T1-GE3
- FDS4953
- EFC6618R-A-TF
- AON4807_001
- AO9926BL
- NVDD5894NLT4G
- ECH8651R-R-TL-H
- VEC2415-TL-E
- SIZ910DT-T1-GE3
- SI7909DN-T1-E3
- SI3981DV-T1-GE3
- IRF7754TRPBF
- IRF5851TRPBF
- GWM160-0055X1-SMD
- BSD223P L6327
- SIA917DJ-T1-GE3
- IRF7751GTRPBF
- IRF7379QTRPBF
- APTM60A23FT1G
- APTM100DDA35T3G
- NTJD4158CT2G
- SI4973DY-T1-E3
- SI1024X-T1-E3
- HAT2092R-EL-E
- NTZD3152PT5G
- FDS6993
- IRF9952PBF
- SI7252DP-T1-GE3
- IPG20N06S2L50AATMA1
- SIZ300DT-T1-GE3
- QS8K13TCR
- TPC8407,LQ(S
- SI8902AEDB-T2-E1
- QS8M12TCR
- QS8J12TCR
- BSL205NH6327XTSA1
- PMDPB58UPE,115
- SSM6N36FE,LM