ON Semiconductor - NTMFS5C442NLT1G

KEY Part #: K6394456

NTMFS5C442NLT1G 価格設定(USD) [159660個在庫]

  • 1 pcs$0.23282
  • 1,500 pcs$0.23166

品番:
NTMFS5C442NLT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 25A SO8FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTMFS5C442NLT1G electronic components. NTMFS5C442NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS5C442NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS5C442NLT1G 製品の属性

品番 : NTMFS5C442NLT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 40V 25A SO8FL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 27A (Ta), 130A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3100pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.1W (Ta), 69W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • DMN2028UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26.

  • FDD86569-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.

  • IRFI830G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP.

  • IRLIZ24G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.

  • SI3134KL-TP

    Micro Commercial Co

    N-CHANNEL MOSFET SOT-883 PACKAG.

  • SI3139KL-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNEL MOSFET SOT-883 PACKAG.