メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
690 mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
22nC @ 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
290pF @ 400V
動作温度 :
-55°C ~ 200°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
HiP247™