STMicroelectronics - STF25N60M2-EP

KEY Part #: K6396874

STF25N60M2-EP 価格設定(USD) [19046個在庫]

  • 1 pcs$3.25677
  • 10 pcs$2.90862
  • 100 pcs$2.38507
  • 500 pcs$1.93132
  • 1,000 pcs$1.62883

品番:
STF25N60M2-EP
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STF25N60M2-EP electronic components. STF25N60M2-EP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STF25N60M2-EP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STF25N60M2-EP 製品の属性

品番 : STF25N60M2-EP
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP
シリーズ : MDmesh™ M2-EP
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 188 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.75V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1090pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 30W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220FP
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • STFW2N105K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF.

  • STFW20N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 18A TO-3PF.

  • STFW12N120K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF.

  • STI28N60M2

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK.

  • STI42N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK.

  • STW25N60M2-EP

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247.