IRL7472L1TRPBF 価格設定（USD） [44701個在庫]
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- 品番:
- IRL7472L1TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 375A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRL7472L1TRPBF electronic components. IRL7472L1TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL7472L1TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRL7472L1TRPBF 製品の属性
品番 :
IRL7472L1TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 40V 375A
シリーズ :
StrongIRFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
375A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
0.59 mOhm @ 195A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
330nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
20082pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 341W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DIRECTFET L8
パッケージ/ケース :
DirectFET™ Isometric L8
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