Vishay Siliconix - SIE802DF-T1-E3

KEY Part #: K6395916

SIE802DF-T1-E3 価格設定(USD) [44987個在庫]

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品番:
SIE802DF-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
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競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIE802DF-T1-E3 製品の属性

品番 : SIE802DF-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 60A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.9 mOhm @ 23.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.7V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7000pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 5.2W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 10-PolarPAK® (L)
パッケージ/ケース : 10-PolarPAK® (L)

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