FCU3400N80Z 価格設定（USD） [161941個在庫]
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- 品番:
- FCU3400N80Z
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 2A IPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FCU3400N80Z electronic components. FCU3400N80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCU3400N80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCU3400N80Z 製品の属性
品番 :
FCU3400N80Z
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
シリーズ :
SuperFET® II
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
400pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
32W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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