IRFR3518TRPBF 価格設定（USD） [154013個在庫]
- 1 pcs$0.24016
- 2,000 pcs$0.20526
- 品番:
- IRFR3518TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 80V 38A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFR3518TRPBF electronic components. IRFR3518TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3518TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR3518TRPBF 製品の属性
品番 :
IRFR3518TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
38A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
29 mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1710pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
110W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IXFM42N20
- ON5194,127
- IRFC3004EB
- NDBA170N06AT4H
- VP0808B-E3
- IRF8308MTR1PBF
- JAN2N6798U
- APTC90DAM60T1G
- FDMS2506SDC
- IRFW540ATM
- SIR840DP-T1-GE3
- SIB412DK-T1-GE3
- NTD4857N-1G
- SI7107DN-T1-E3
- IPP25N06S325XK
- IRF6619TRPBF
- FDZ208P
- FQI50N06LTU
- FDB4020P
- IRFU3709ZPBF
- GA05JT12-247
- FQPF1N50
- FDS6679Z
- IRF9Z34NSTRR
- IRFBC30A
- IRLZ24
- PH2625L,115
- STF13NM60N-H
- IRF830
- IXTQ200N06P
- AUIRFP4409
- IXTH98N20T
- IPC302N25N3X1SA1
- AUIRF3205ZSTRL
- IPB80P04P4L04ATMA1
- SI4686DY-T1-GE3
- TK7P50D(T6RSS-Q)
- NVMFS5C468NLWFAFT3G
- BUK7M12-40EX
- PMV25ENEAR