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- 品番:
- HUF76429D3S
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 20A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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-
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor HUF76429D3S electronic components. HUF76429D3S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF76429D3S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HUF76429D3S 製品の属性
品番 :
HUF76429D3S
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
シリーズ :
UltraFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
23 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1480pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
110W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252AA
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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