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- 品番:
- IRFSL9N60A
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFSL9N60A electronic components. IRFSL9N60A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFSL9N60A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFSL9N60A 製品の属性
品番 :
IRFSL9N60A
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
49nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1400pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
170W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-262-3
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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