STP10N60M2 価格設定（USD） [47714個在庫]
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- 品番:
- STP10N60M2
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP10N60M2 electronic components. STP10N60M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP10N60M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP10N60M2 製品の属性
品番 :
STP10N60M2
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V TO-220
シリーズ :
MDmesh™ II Plus
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
400pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
85W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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