Infineon Technologies - IPT65R105G7XTMA1

KEY Part #: K6417328

IPT65R105G7XTMA1 価格設定(USD) [28993個在庫]

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品番:
IPT65R105G7XTMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
HIGH POWERNEW.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPT65R105G7XTMA1 製品の属性

品番 : IPT65R105G7XTMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : HIGH POWERNEW
シリーズ : CoolMOS™ C7
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 24A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 105 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 440µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1670pF @ 400V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 156W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-HSOF-8-2
パッケージ/ケース : 8-PowerSFN

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