PMN55ENEH 価格設定（USD） [566109個在庫]
- 1 pcs$0.06534
- 品番:
- PMN55ENEH
- メーカー:
- Nexperia USA Inc.
- 詳細な説明:
- PMN55ENE/SOT457/SC-74.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Nexperia USA Inc. PMN55ENEH electronic components. PMN55ENEH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMN55ENEH, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PMN55ENEH 製品の属性
品番 :
PMN55ENEH
メーカー :
Nexperia USA Inc.
説明 :
PMN55ENE/SOT457/SC-74
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
60 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.7V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
646pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-TSOP
パッケージ/ケース :
SC-74, SOT-457
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