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- 品番:
- PSMN8R5-100XSQ
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PSMN8R5-100XSQ electronic components. PSMN8R5-100XSQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN8R5-100XSQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN8R5-100XSQ 製品の属性
品番 :
PSMN8R5-100XSQ
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
49A (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5512pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
55W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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