STMicroelectronics - STL100N10F7

KEY Part #: K6396981

STL100N10F7 価格設定(USD) [71397個在庫]

  • 1 pcs$0.81760
  • 3,000 pcs$0.81353

品番:
STL100N10F7
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STL100N10F7 electronic components. STL100N10F7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL100N10F7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STL100N10F7 製品の属性

品番 : STL100N10F7
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6
シリーズ : DeepGATE™, STripFET™ VII
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7.3 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5680pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 5W (Ta), 100W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerFlat™ (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • IRFR220NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.

  • IRLR3410PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • FDD390N15ALZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3.

  • STT6N3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6.

  • STT4P3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6.

  • STI300N4F6

    STMicroelectronics

    MOSFET N CH 40V 160A I2PAK.