AUIRFN7107TR 価格設定（USD） [3001個在庫]
- 4,000 pcs$0.45945
- 品番:
- AUIRFN7107TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRFN7107TR electronic components. AUIRFN7107TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFN7107TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRFN7107TR 製品の属性
品番 :
AUIRFN7107TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
75V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
14A (Ta), 75A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.5 mOhm @ 45A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3001pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
4.4W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PQFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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