SI3932DV-T1-GE3 価格設定（USD） [367832個在庫]
- 1 pcs$0.10056
- 3,000 pcs$0.09462
- 品番:
- SI3932DV-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI3932DV-T1-GE3 electronic components. SI3932DV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3932DV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI3932DV-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI3932DV-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.7A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
58 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
235pF @ 15V
パワー-最大 :
1.4W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-TSOP
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- CCS020M12CM2
- GMM3X180-004X2-SMDSAM
- AON7934_101
- AON6884L
- BUK9MJJ-65PLL,518
- CTLDM8120-M832DS TR
- 2N7002BKS/ZLX
- SI5933DC-T1-E3
- SI1023X-T1-E3
- IRF7756TR
- AO4807L
- AUIRF7313Q
- BSL308CL6327HTSA1
- SI5975DC-T1-GE3
- SI4913DY-T1-GE3
- IRFH7911TR2PBF
- NTLUD3191PZTBG
- GWM220-004P3-SMD SAM
- SI9936DY
- TPCP8203(TE85L,F)
- IRF7309QTRPBF
- IRF7306QTRPBF
- APTC80AM75SCG
- SI7844DP-T1-E3
- SI5943DU-T1-E3
- SI5504DC-T1-E3
- SI4992EY-T1-E3
- SI4330DY-T1-E3
- SI3911DV-T1-E3
- FDW2501N
- IRF7905PBF
- FDC6000NZ
- IRF7901D1TR
- NDS9953A
- STS1DNF20
- SQ3585EV-T1_GE3
- SQJ260EP-T1_GE3
- SI4228DY-T1-E3
- IRF7309TRPBF
- SI1034CX-T1-GE3