[13296個在庫]
- 品番:
- IRLR2905Z
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLR2905Z electronic components. IRLR2905Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR2905Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLR2905Z 製品の属性
品番 :
IRLR2905Z
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
42A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
13.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 5V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1570pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
110W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- DMTH10H025LK3-13
- PSMN8R9-100BSEJ
- AO6409_DELTA
- TSM6N60CH C5G
- IXFX80N15Q
- 5LN01SP-AC
- NTMFS4C53NT3G
- FDB8160-F085
- SI1307DL-T1-E3
- AOI508
- FCI25N60N
- RJK0856DPB-00#J5
- SI8405DB-T1-E3
- SI5475DC-T1-E3
- IXTC13N50
- IPI80CN10N G
- NTB30N20T4G
- SI1410EDH-T1-E3
- SI1400DL-T1-E3
- HUFA75333P3
- 2SK2504TL
- AOTF474
- IRL3715Z
- MTD5P06VT4
- SPP08N50C3XKSA1
- SPI80N06S-08
- FQB4N20LTM
- IRF3711ZL
- IRF7523D1
- IRFP440
- IXTQ120N15P
- AUIRF1324STRL7P
- BSB015N04NX3GXUMA1
- SIDR622DP-T1-GE3
- SQJ412EP-T1_GE3
- IXTP5N60P
- IPI45N06S4L08AKSA3
- IRFZ34NSTRRPBF
- BSC067N06LS3GATMA1
- AO4423