TK13A45D(STA4,Q,M) 価格設定（USD） [46994個在庫]
- 1 pcs$0.91980
- 50 pcs$0.91522
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK13A45D(STA4,Q,M) electronic components. TK13A45D(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK13A45D(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK13A45D(STA4,Q,M) 製品の属性
品番 :
TK13A45D(STA4,Q,M)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS
シリーズ :
π-MOSVII
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
450V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
460 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1350pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
45W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220SIS
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- 2N7002PM,315
- PHD34NQ10T,118
- NVMFS6B75NLWFT3G
- SFT1341-E
- IXFE48N50QD3
- GP1M008A080H
- GP1M003A040CG
- NTTFS4C56NTAG
- SI8405DB-T1-E3
- PHK04P02T,518
- FDMS2504SDC
- IRF6797MTR1PBF
- IRFS4010PBF
- NTD110N02R-001G
- BSS119 E7796
- HUF75332S3ST
- FQU5N50TU
- FDR840P
- IRLR3714TRLPBF
- IRLR3802PBF
- APT18F60S
- IRF540ZS
- SI7856ADP-T1-E3
- IRL1404ZS
- NTR4501NT3
- FQD9N08TM
- IRFR3711ZTRL
- IRFI1310N
- IRFR13N20DTRL
- IRFBC20STRL
- IRF7521D1
- IRFIBE20G
- PH7030L,115
- STT3PF20V
- IXFH86N30T
- FCH125N60E
- SQM50N04-4M0L_GE3
- IXTP2N80P
- TPC8067-H,LQ(S
- SQ2398ES-T1_GE3