DMN10H170SFDE-7 価格設定（USD） [446296個在庫]
- 1 pcs$0.08288
- 3,000 pcs$0.07418
- 品番:
- DMN10H170SFDE-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN10H170SFDE-7 electronic components. DMN10H170SFDE-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H170SFDE-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN10H170SFDE-7 製品の属性
品番 :
DMN10H170SFDE-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.9A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.7nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1167pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
660mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- FDS5672_F095
- AON6428_103
- SCH1439-TL-W
- N0439N-S19-AY
- IXFR10N100Q
- DMP3025LK3-13-01
- UPA2821T1L-E1-AT
- RJK4002DPP-M0#T2
- BMS4003
- TK16A55D(STA4,Q,M)
- 2SK3704
- IPB096N03LGATMA1
- SIA419DJ-T1-GE3
- NTR4503NT1
- NTD24N06L-001
- IRF6629TRPBF
- IRF7453TRPBF
- IRFP064VPBF
- IRFZ46ZPBF
- SPP06N60C3XKSA1
- NTD4302T4
- 2SK221100L
- IRF6648TR1
- IRF7807ZPBF
- IRL530STRL
- IRFBF20STRR
- IRFR9120NTRR
- IRL520
- PMN23UN,165
- PSMN085-150K,518
- STD8NM60N-1
- STP10NK50Z
- IPP65R190CFDAAKSA1
- SQP120P06-6M7L_GE3
- IXTA1N80
- AUIRFR2905Z
- IPA65R310CFDXKSA2
- BSC159N10LSFGATMA1
- STD37P3H6AG
- IRFH8330TRPBF