IRFS38N20DTRLP 価格設定（USD） [50826個在庫]
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- 800 pcs$0.69759
- 品番:
- IRFS38N20DTRLP
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFS38N20DTRLP electronic components. IRFS38N20DTRLP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS38N20DTRLP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFS38N20DTRLP 製品の属性
品番 :
IRFS38N20DTRLP
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
43A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
91nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2900pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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