Infineon Technologies - IRLHS6376TRPBF

KEY Part #: K6524978

IRLHS6376TRPBF 価格設定(USD) [361811個在庫]

  • 1 pcs$0.10223
  • 4,000 pcs$0.07687

品番:
IRLHS6376TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRLHS6376TRPBF electronic components. IRLHS6376TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLHS6376TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLHS6376TRPBF 製品の属性

品番 : IRLHS6376TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.6A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.1V @ 10µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.8nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 270pF @ 25V
パワー-最大 : 1.5W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-PQFN (2x2)

あなたも興味があるかもしれません
  • FDG6322C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.

  • SI1900DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6.

  • FDG1024NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • 2N7002DW

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6.

  • SIL2301-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNELMOSFETSSOT23-6L PACKA.

  • SI6926ADQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP.