IGT60R190D1SATMA1 価格設定（USD） [10659個在庫]
- 1 pcs$3.86600
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IC GAN FET 600V 23A 8HSOF.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IGT60R190D1SATMA1 electronic components. IGT60R190D1SATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IGT60R190D1SATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IGT60R190D1SATMA1 製品の属性
品番 :
IGT60R190D1SATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IC GAN FET 600V 23A 8HSOF
シリーズ :
CoolGaN™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.6V @ 960µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
-10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
157pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
55.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-HSOF-8-3
パッケージ/ケース :
8-PowerSFN
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