説明 :
MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
193A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
16 mOhm @ 120A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.6V @ 6mA (Typ)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
378nC @ 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
6300pF @ 1000V
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)