ON Semiconductor - FDMD8900

KEY Part #: K6522237

FDMD8900 価格設定(USD) [96560個在庫]

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品番:
FDMD8900
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V POWER.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMD8900 製品の属性

品番 : FDMD8900
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 30V POWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 19A, 17A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 35nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2605pF @ 15V
パワー-最大 : 2.1W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 12-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 12-Power3.3x5

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