Transphorm - TPH3206PD

KEY Part #: K6398746

TPH3206PD 価格設定(USD) [8698個在庫]

  • 1 pcs$5.67181
  • 10 pcs$5.10463
  • 100 pcs$4.19714
  • 500 pcs$3.51652

品番:
TPH3206PD
メーカー:
Transphorm
詳細な説明:
GANFET N-CH 600V 17A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Transphorm TPH3206PD electronic components. TPH3206PD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH3206PD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH3206PD 製品の属性

品番 : TPH3206PD
メーカー : Transphorm
説明 : GANFET N-CH 600V 17A TO220
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 17A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.6V @ 500µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 9.3nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 760pF @ 480V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 96W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • TP2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3.

  • VP0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3.

  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • R5011FNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM.

  • IPA80R280P7XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 17A TO220.

  • R6009KNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM.