FDMC86184 価格設定（USD） [107800個在庫]
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- 品番:
- FDMC86184
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDMC86184 electronic components. FDMC86184 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMC86184, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMC86184 製品の属性
品番 :
FDMC86184
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
57A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 110µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 6V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2090pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
54W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
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