TK65G10N1,RQ 価格設定（USD） [71903個在庫]
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- 品番:
- TK65G10N1,RQ
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
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TK65G10N1,RQ 製品の属性
品番 :
TK65G10N1,RQ
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
65A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5400pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
156W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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