Infineon Technologies - BSZ110N06NS3GATMA1

KEY Part #: K6418035

BSZ110N06NS3GATMA1 価格設定(USD) [296365個在庫]

  • 1 pcs$0.12480

品番:
BSZ110N06NS3GATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ110N06NS3GATMA1 製品の属性

品番 : BSZ110N06NS3GATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 23µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2700pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.1W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

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