BSZ110N06NS3GATMA1 価格設定（USD） [296365個在庫]
- 1 pcs$0.12480
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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BSZ110N06NS3GATMA1 製品の属性
品番 :
BSZ110N06NS3GATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 23µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2700pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.1W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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