IXYS - IXFH100N30X3

KEY Part #: K6398542

IXFH100N30X3 価格設定(USD) [8948個在庫]

  • 1 pcs$4.60531

品番:
IXFH100N30X3
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH100N30X3 製品の属性

品番 : IXFH100N30X3
メーカー : IXYS
説明 : 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 300V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 7.66nF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 480W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247
パッケージ/ケース : TO-247-3

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