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ON Semiconductor - FQB5N30TM

KEY Part #: K6410710

[14042個在庫]

    品番:
    FQB5N30TM
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FQB5N30TM electronic components. FQB5N30TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB5N30TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQB5N30TM 製品の属性

    品番 : FQB5N30TM
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAK
    シリーズ : QFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 300V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 5.4A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 900 mOhm @ 2.7A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 13nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 430pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 3.13W (Ta), 70W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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