IXTA1N200P3HV 価格設定（USD） [14212個在庫]
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- 10 pcs$8.25601
- 100 pcs$6.67528
- 品番:
- IXTA1N200P3HV
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTA1N200P3HV electronic components. IXTA1N200P3HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA1N200P3HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA1N200P3HV 製品の属性
品番 :
IXTA1N200P3HV
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
2000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
40 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
23.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
646pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
125W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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