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ON Semiconductor - SI4542DY

KEY Part #: K6521959

SI4542DY 価格設定（USD） [135402個在庫]

  • 1 pcs$0.74422
  • 10 pcs$0.65851
  • 100 pcs$0.52053
  • 500 pcs$0.40368
  • 1,000 pcs$0.30146
品番:
SI4542DY
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor SI4542DY electronic components. SI4542DY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4542DY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4542DY 製品の属性

品番 : SI4542DY
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 28 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 13nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 830pF @ 15V
パワー-最大 : 1W
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

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