[13623個在庫]
- 品番:
- IRFL4105PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFL4105PBF electronic components. IRFL4105PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFL4105PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFL4105PBF 製品の属性
品番 :
IRFL4105PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
660pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-223
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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