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- 品番:
- IXTP1R6N50P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTP1R6N50P electronic components. IXTP1R6N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP1R6N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTP1R6N50P 製品の属性
品番 :
IXTP1R6N50P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
シリーズ :
PolarHV™
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 25µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.9nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
140pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
43W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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