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ON Semiconductor - HUF75639S3S

KEY Part #: K6410366

[14161個在庫]

    品番:
    HUF75639S3S
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
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    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor HUF75639S3S electronic components. HUF75639S3S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF75639S3S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HUF75639S3S 製品の属性

    品番 : HUF75639S3S
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
    シリーズ : UltraFET™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 56A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 25 mOhm @ 56A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 130nC @ 20V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2000pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 200W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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